Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Количество минимального заказа:1
Model No:PTH03N150
1500 В n-CH Высокий планарный MOSFET Power Mosfet - PTH03N150 Общие функции ROHS COMPARINT R DS (ON), тип. = 5,4 Ом@V GS = 10 В Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения Диод быстрого восстановления тела Приложения Адаптер ...
Количество минимального заказа:1
Model No:LSD55R140GF
N-канальный MOSFET 550V 23A Power MOSFET, TO-220F-пакет Профиль продукта Инженерные с технологией Super Junction, инженерные, Power Mosfets Lonfet ™ достигают прорывной производительности. Характеристика ультралова на резистентности обеспечивает...
Количество минимального заказа:1
Model No:LSB65R180GT
N-канальный MOSFET высокого напряжения 650V 20A Power MOSFET - LSB65R180GT Описание Используя передовую технологию супер-соединения, Power Mosfets Lonfet ™ обеспечивает исключительно низкую настойчивость на постоянном состоянии. Этот характерный...
Количество минимального заказа:1
Model No:LSB55R140GF
550 В n-канальный MOSFET Power MOSFET LSB55R140GF для промышленного контроля Описание Power Mosfets Lonfet ™ использует передовую технологию супер-соединения для достижения чрезвычайно низкой настойчивости. Этот дизайн оптимизирует их для...
Количество минимального заказа:1
Model No:LSD65R380GF
650 В n-канальный MOSFET Power MOSFET 11A, 650V, 0,38 Ом - LSD65R380GF Резюме продукта V ds @ t j, max: 700v R DS (ON), макс: 0,38 Ом Я DM: 33а Q G, тип: 21NC Описание Этот мощный MOSFET изготовлен с использованием передовой технологии Super...
Количество минимального заказа:1
Model No:PTF09N150
1500 В n-chhigh планарный mosfet Power MOSFET - 1500V 9A PTF09N150 Общие функции ROHS COMPARINT R DS (ON), тип. =2,8ω @ v GS = 10 В. Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения Диод быстрого восстановления тела Приложения Адаптер...
Количество минимального заказа:1
Model No:LND4N65
Высокое напряжение N-канальное MOSFET LND4N65 Обзор продукта Этот энергетический MOSFET разрабатывается с использованием передовой плоской технологии VDMOS. Расширенное устройство предлагает низкий уровень устойчивости, отличные характеристики...
Количество минимального заказа:1
Model No:LNB20N60
Высокое напряжение N-канальное MOSFET LNB20N60 Профиль продукта Используя Advanced Planar Architecture VDMOS , этот мощный MOSFET предлагает высокопроизводительное устройство, характеризующееся Ultra-Low RDS (ON), превосходной скоростью переключения...
Количество минимального заказа:1
Model No:LND12N65
N-канальный MOSFET высокого напряжения 650V 12A Power MOSFET LND12N65 Описание Power MOSFET изготовлен с использованием передовой планарной технологии VDMOS . Полученное устройство имеет низкую сопротивление проводимости, превосходную...
Количество минимального заказа:1
Model No:PTW50N30
300 В n-канальный MOSFET Power Mosfet для UPS - PTW50N30 Общие функции Propryary New Planar Technology Technology R DS (ON), тип. = 68 МОм@V GS = 10 В. Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения Диод тела с быстрыми характеристиками...
Количество минимального заказа:1
Model No:PTW69N30B
300 В n-канальный MOSFET Power MOSFET для SMPS - PTW69N30B Общие функции Усовершенствованный планарный процесс R DS (ON), тип. = 40 МОм@V GS = 10 В Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения Структура прочной поли из силиконовых...
Количество минимального заказа:1
Model No:PTW90N20
200 В N-канальный MOSFET Power Mosfet - PTW90N20 (* MOSFET (металлический оксид-полупроводник-транзистор, контролируемый напряжением, является полупроводниковым устройством, контролируемым напряжением и принадлежит к категории электронных...
Количество минимального заказа:1
Model No:PTF12N120
1200 В n-канальный MOSFET Power MOSFET - PTF12N120 Ключевые функции Быстрая возможность переключения Типичный rds (ON) = 1,2 Ом @ VGS = 10V Низкий заряд затвора для уменьшения потерь переключения Диод тела с быстрым восстановлением Типичные...
Количество минимального заказа:1
Model No:PTF24N90
900 В n-канальный MOSFET Power MOSFET - PTF24N90 Особенности и преимущества Произведено с помощью передового планарного процесса Типичный rds (on) = 320 МОм @ VGS = 10V Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения Прочная структура затвора...
Количество минимального заказа:1
Model No:PTW26N60
600 В n-канальный MOSFET Power MOSFET -600V 26A PTW26N60 Приложения Драйвер двигателя BLDC Электрический сварщик Высокая эффективность SMP Общие функции Усовершенствованный планарный процесс rds (on), тип. = 250 МОм@VGS = 10 В. Низкий...
Количество минимального заказа:1
Model No:PTW28N50
500 В n-канальный MOSFET Power MOSFET -500V 28A PTW28N50 Общие функции Изготовлен с использованием передовых планарных технологий R DS (ON), тип. = 170 МОм@V GS = 10 В Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения Структура прочной...
Количество минимального заказа:1
Model No:PTW50N25
N-канальный MOSFET Power MOSFET 250V 50A PTW50N25 Общие функции Propryary New Planar Technology Technology R DS (ON), тип. = 45 мОм@V GS = 10 В. Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения Диод быстрого восстановления тела Приложения...
Количество минимального заказа:1
Model No:SPTF20R10
200 В N-канальный MOSFET Power MOSFET - SPTF20R10 Общие функции Новая траншевая технология. R DS (ON), тип. =9,3mω @ v gs = 10 В. Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения Диод быстрого восстановления тела Приложения DC/DC...
Количество минимального заказа:1
Model No:PTW30N50EL
500 В n-канальный MOSFET Power MOSFET - 500V 30A / PTW30N50EL Общие функции Усовершенствованный планарный процесс R DS (ON), тип. = 150 МОм@V GS = 10 В. Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения Структура прочной поли из...
Количество минимального заказа:1
Model No:LND7N65D
Полупроводники дискретные устройства 650V 7A N-канальный мощный MOSFET Lnd7n65d Резюме продукта VDSS: 650V ID: 7A RDS (ON), макс: 1,4 Ом QG, тип: 23.5nc Описание Power MOSFET изготовлен с использованием передовой планарной технологии VDMOS ....
Количество минимального заказа:1
Model No:LNA20N50W
Power Semiconductor Device Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LNA20N50W Описание В этом силовом MOSFET используется передовая планарная технология изготовления VDMOS, обеспечивая низкую настойчивость, повышенную эффективность...
Количество минимального заказа:1
Model No:LND10N65
650 В, 10а N-канальный мощный мосфет Описание А Власть МОСФЕТ является изготовлено с использованием продвинутый планарный Vdmos технология . А полученное устройство имеет низкая проводимость сопротивление , превосходное...
Количество минимального заказа:1
Model No:LSD65R380GT
Описание Lonfet TM Power Mosfet изготовлен с использованием передовой технологии Super Junction . Полученное устройство имеет чрезвычайно низкое сопротивление, что делает его особенно подходящим для применений, которые требуют превосходной плотности...
Количество минимального заказа:1
Model No:LSD65R180GF
Описание В этом энергетическом MOSFET используется передовая технология супер -соединения в своем строительстве. Инженерное устройство обеспечивает минимальную на резистентность, что делает его идеально подходящим для приложений, требующих...
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.