Name: 1500 В n-CH Высокий планарный MOSFET PTH03N150
Uploaded: 2025-06-11T10:33:23+08:00
Description: 1500 В n-CH Высокий планарный MOSFET Power Mosfet - PTH03N150 Общие функции  ROHS

1500 В n-CH Высокий планарный MOSFET PTH03N150

Количество минимального заказа:1

Атрибуты продукта
Упаковка и доставка
Other information

Атрибуты продукта

Модель: PTH03N150

Тип поставки: Оригинальный производитель, ODM, Агентство, Розничный продавец, Другие

Справочные материалы: техническая спецификация, Фото

VDSS: 1500V

ID: 3A

RDS(ON),typ: 5.4Ω

Ciss: 1600pF

Рабочая Температура: -55 до 150 ℃

Пакет устройства: To-3pf

Упаковка и доставка



1500 В n-CH Высокий планарный MOSFET PTH03N150



1500 В n-CH Высокий планарный MOSFET

Power Mosfet - PTH03N150

Общие функции

 ROHS COMPARINT

 R DS (ON), тип. = 5,4 Ом@V GS = 10 В

 Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения

 Диод быстрого восстановления тела

Приложения

 Адаптер

 Зарядное устройство

 Сила SMPS STANDSION

Абсолютный максимум Рейтинги

Symbol	Parameter	PTH03N150	PTA03N150	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	1500		V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30		V
ID	Continuous Drain Current	3		A
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V	12		A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy,L=30mH	500		mJ
PD	Power Dissipation	90	35	W
PD	Derating Factor above 25℃	0.72	0.28	W/℃
TL	Soldering Temperature Distance of 1.6mm from case for 10 seconds	300		℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150		℃

* MOSFET , полевой транзистор с оксидом металлукессы, классифицируется как полупроводниковое устройство, контролируемое напряжением, в более широкой категории электронных компонентов, регулирует поток тока между его источником и дренажными клеммами путем применения напряжения к терминалу Gate.