Name: 300 В n канальный MOSFET PTW69N30B
Uploaded: 2025-06-11T10:24:25+08:00
Description: 300 В n-канальный MOSFET Power MOSFET для SMPS - PTW69N30B Общие функции 

Высокое напряжение N-канальное MOSFET PTW69N30B

Количество минимального заказа:1

Атрибуты продукта
Упаковка и доставка
Other information

Атрибуты продукта

Модель: PTW69N30B

Тип поставки: Оригинальный производитель, ODM, Агентство, Розничный продавец, Другие

Справочные материалы: техническая спецификация, Фото

VDSS: 300V

ID: 69A

RDS (ON), тип: 40 МОм

Сисс: 5790pf

Рабочая Температура: -55 до 150 ℃

Device Package: TO-3P

Упаковка и доставка



300 В n канальный MOSFET PTW69N30B



300 В n-канальный MOSFET

Power MOSFET для SMPS - PTW69N30B

Общие функции

 Усовершенствованный планарный процесс

 R DS (ON), тип. = 40 МОм@V GS = 10 В

 Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения

 Структура прочной поли из силиконовых затворов

Приложения

 Драйвер двигателя BLDC

 Электрический сварщик

 Высокая эффективность SMP

Абсолютный максимум Рейтинги

Symbol	Parameter	PTW69N30B	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	300	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	69	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	42
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2,4]	276
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	4494	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	520	W
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

* MOSFET , полевой транзистор с оксидом металлукессы, классифицируется как полупроводниковое устройство, контролируемое напряжением, в более широкой категории электронных компонентов, регулирует поток тока между его источником и дренажными клеммами путем применения напряжения к терминалу Gate. МОПЕТЫ широко используются в современной электронике.