Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LND4N65

Количество минимального заказа:1

Атрибуты продукта
Упаковка и доставка
Other information

Атрибуты продукта

Модель: LND4N65

Тип поставки: Оригинальный производитель, ODM, Агентство, Розничный продавец, Другие

Справочные материалы: техническая спецификация, Фото

VDSS: 650V

ID: 4A

RDS (ON), макс: 2,7 Ом

Сисс: 550pf

Пакет устройства: ТО-220Ф

Рабочая Температура: -55 до +150 ° C.

Упаковка и доставка

Высокое напряжение N-канальное MOSFET LND4N65

Обзор продукта

Этот энергетический MOSFET разрабатывается с использованием передовой плоской технологии VDMOS. Расширенное устройство предлагает низкий уровень устойчивости, отличные характеристики переключения и высокие энергетические возможности для лавины.

Ключевые функции

⚫ Low R DS (ON)

⚫ Заряд с низким затвором (тип. Q g = 13,3NC)

⚫ Протестировано полностью UIS (непредвзятое индуктивное переключение)

⚫ Сертифицировано соответствие ROHS

Приложения

⚫ Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC)

⚫ Высокочастотные расходные материалы режима коммутатора (SMP)

⚫ Драйверы светодиодного освещения

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current 1) ( TC = 25°C ) ( TC= 100°C )	ID	4 2.5	A A
Pulsed drain current 2)	IDM	16	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)	EAS	199	mJ
Power Dissipation	PD	27	W
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	4	A
Diode pulse current	IS,pulse	16	A

Информация о маркировке и заказе пакета

Device	Device Package	Marking	Units/Tube
LND4N65	TO-220F	LND4N65	50