1200 В n-канальный MOSFET PTF12N120 High Power Transistor

Количество минимального заказа:1

Атрибуты продукта
Упаковка и доставка
Other information

Атрибуты продукта

Модель: PTF12N120

Тип поставки: Оригинальный производитель, Агентство, ODM, Розничный продавец, Другие

Справочные материалы: Фото, техническая спецификация

VDSS: 1200V

ID: 12A

RDS (ON), тип: 1,2 Ом

Сисс: 3300PF

Рабочая Температура: -55 до 150 ° C.

Пакет устройства: До-247

Упаковка и доставка



1200 В n-канальный MOSFET PTF12N120



1200 В n-канальный MOSFET

Power MOSFET - PTF12N120

Ключевые функции

Быстрая возможность переключения
Типичный rds (ON) = 1,2 Ом @ VGS = 10V
Низкий заряд затвора для уменьшения потерь переключения
Диод тела с быстрым восстановлением

Типичные приложения

Адаптеры переменного тока
Зарядные устройства аккумулятора
- Поставки питания в режиме ожидания в SMP (питания переключенного режима)

Абсолютные максимальные оценки

Symbol	Parameter	Maximum Rating	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	1200	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	12	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc=100℃	7
IDM	Pulsed Drain Current at VGS=10V[2,4]	48
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	700	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	380	W
PD	Derating Factor above 25℃	3.04	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and StorageTemperatureRange	-55 to 150	℃

* MOSFET , полевой транзистор с оксидом металлукессы, классифицируется как полупроводниковое устройство, контролируемое напряжением, в более широкой категории электронных компонентов, регулирует поток тока между его исходными и дренажными клеммами путем применения напряжения к терминалу Gate.