250 В n-канальный MOSFET PTW50N25

Количество минимального заказа:1

Атрибуты продукта
Упаковка и доставка
Other information

Атрибуты продукта

Модель: PTW50N25

Тип поставки: Оригинальный производитель, ODM, Агентство, Розничный продавец, Другие

Справочные материалы: Фото, техническая спецификация

VDSS: 250V

ID: 50A

RDS (ON), тип: 45 МОм

Сисс: 3560pf

Рабочая Температура: -55 до 150 ℃

Device Package: TO-3P

Упаковка и доставка

N-канальный MOSFET

Power MOSFET 250V 50A PTW50N25

Общие функции

Propryary New Planar Technology Technology

 R DS (ON), тип. = 45 мОм@V GS = 10 В.

 Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения

 Диод быстрого восстановления тела

Приложения

 DC-DC Power Converters

 Инверторы DC-AC для бесперебойного источника питания (UPS)

 Питания переключателя (SMP) и моторные приводы

Абсолютный максимум Рейтинги

Symbol	Parameter	Rating	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage[ 1]	250	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
ID	Continuous Drain Current	50	A
ID @ Tc =100℃	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	25
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2]	200
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	1250	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	278	W
PD	Derating Factor above 25℃	1.0	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

Примечание:

[1] t j = +25 ℃ до +150 ℃

[2] повторяющийся рейтинг; Ширина пульса ограничена максимальной температурой соединения.

[3] i sd = 20a di/dt <100 a/μs, v dd <bv dss , t j =+150 ℃ .

[4] ширина пульса ≤380 мкс; Рабочий цикл ≤2%.

* MOSFET , полевой транзистор с оксидом металлукессы, классифицируется как полупроводниковое устройство, контролируемое напряжением, в более широкой категории электронных компонентов, регулирует поток тока между его источником и дренажными клеммами путем применения напряжения к терминалу Gate.