Name: 200 В n-канальный MOSFET SPTF20R10
Uploaded: 2025-06-11T10:21:01+08:00
Description: 200 В N-канальный MOSFET Power MOSFET - SPTF20R10 Общие функции  Новая траншевая

200 В n-канальный MOSFET SPTF20R10

Количество минимального заказа:1

Атрибуты продукта
Упаковка и доставка
Other information

Атрибуты продукта

Модель: SPTF20R10

Тип поставки: ODM, Оригинальный производитель, Агентство, Розничный продавец, Другие

Справочные материалы: Фото, техническая спецификация

VDSS: 200V

ID: 110A

RDS(ON),typ: 9.3mΩ

Ciss: 10656pF

Рабочая Температура: -55 до 150 ℃

Пакет устройства: До-247

Упаковка и доставка



200 В n-канальный MOSFET SPTF20R10



200 В N-канальный MOSFET

Power MOSFET - SPTF20R10

Общие функции

 Новая траншевая технология.

 R DS (ON), тип. =9,3mω @ v gs = 10 В.

 Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения

 Диод быстрого восстановления тела

Приложения

 DC/DC Converter

 Идеально подходит для высокочастотного переключения и синхронного выпрямления

Абсолютный Максимум Рейтинги

Symbol	Parameter	Limit	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage[1]	200	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
ID	Continuous Drain Current	110	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc=100℃	75
IDM	Pulsed Drain Current at VGS=10V[2]	440
EAS	Single Pulse Avalanche Energy L=10mH	2000	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	278	W
PD	Derating Factor above 25℃	2.22	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

МОСФЕТ (Полевой транзистор-эффект с оксидом металла) представляет собой полупроводниковое устройство, контролируемое напряжением и принадлежит к категории электронных компонентов, регулирует поток тока между его исходными и канальными терминалами путем применения напряжения к терминалу затвора.