Оставьте нам сообщение
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Представление продукта серии Ncepower Gen.8 IGBT 1200 В/140 А
Последняя серия IGBT 8-го поколения (Gen.8 IGBT), выпущенная Xinjieneng, достигла наилучшего баланса между падением напряжения насыщения (VCE(sat)) и потерями переключения (Eon, Eoff). В этой серии используется архитектура микротраншейных затворов сверхвысокой плотности, что значительно повышает структурную плотность устройства и эффективно снижает потери проводимости. В то же время благодаря инновационной конструкции зоны дрейфа устройства и буферного слоя была достигнута двойная оптимизация...
С бурным ростом индустрии транспортных средств на новых источниках энергии автомобильный сектор переживает глубокую волну интеллектуальных преобразований и электрификации. В соответствии с этой тенденцией электронная и электрическая архитектура всего автомобиля постоянно модернизируется, а количество используемых ключевых электронных компонентов, таких как различные двигатели, реле и светодиодные фары, значительно увеличивается, что предъявляет более высокие требования к точности, скорости...
Независимый выход на стороне высокого и низкого уровня, расширенная диагностика неисправностей, контроль ЭМС. Stmicroelectronics L98GD8E — это предварительный привод автомобильного класса на 48 В с абсолютным максимальным номинальным напряжением 75 В. Это один из немногих чипов предварительного привода автомобильного класса, который не только соответствует стандарту автомобильной электрической системы ISO 21780 на 48 В, но также объединяет восемь каналов привода верхнего и нижнего плеча. Все...
Усовершенствованное однокристальное решение для обеспечения безопасности мобильных устройств со встроенным процессором аппаратного шифрования PQC (устойчивый к квантовой криптографии). Помогите производителям мобильных терминалов соответствовать будущим требованиям безопасности, одновременно открывая богатые возможности приложений на потребительском рынке и в экосистеме. В июле 2026 года планируется получить сертификаты Common Criteria 2022 EUCC и EMVCo. Недавно компания stmicroelectronics (ST)...
Скачок энергоэффективности, не беспокойтесь о повышении температуры 650 В SiC МОП Вытяжка дома ревет и горячая на ощупь? Вы всегда чувствуете, что вентилятор плохо работает после долгой работы? Зачастую это «сердце», спрятанное в плате — силовые устройства в знак протеста «нагреваются». В мире систем с приводом от двигателя высокие температуры не только снижают эффективность, но и сокращают срок службы. SiC MOSFET 650 В, 7 А — XC600M065B1G3, выпущенный Xinergy, специально разработан для...
На фоне непрерывной эволюции систем промышленного привода в направлении высокой эффективности, высокой удельной мощности и высокой надежности силовые устройства ускоряют трансформацию из «простых переключающих компонентов» в «основные приводные устройства для повышения эффективности системы». Новейший продукт IGBT 1200 В/40 А, выпущенный Longten Semiconductor -LKB40N120UM1, использует технологию Field Stop Trench IGBT и обеспечивает оптимизацию на уровне системы с точки зрения потерь...
Сводка новостей Компания NXP Semiconductors объявила о выпуске автомобильной радиолокационной системы на кристалле (SoC) SAF8444. Этот продукт использует инновационную радиочастотную конструкцию, обеспечивающую высокопроизводительные и высокоэффективные приложения. Это также помогает клиентам упростить конструкцию системы управления температурным режимом и снизить сложность интеграции с автомобилем, тем самым эффективно снижая общую стоимость системы. The above advantages make it more in line...
Mitsubishi Electric начнет предоставлять образцы голых чипов для SiC MOSFET 5-го поколения
Запуск нового продукта Схема пластины SiC MOSFET с траншейным затвором / схема SiC MOSFET с траншейным затвором / голая микросхема (образец визуализации) 4 июня 2026 года компания Mitsubishi Electric Corporation объявила, что с конца июня того же года она начнет поставлять образцы двух новых чипов SiC MOSFET 5-го поколения без покрытия. Этот чип подходит для моторных инверторов и eAxles¹ (электрических ведущих мостов) в электромобилях (EV), гибридных электромобилях (PHEV) и других...
Недавно успешно завершились 13-я Шанхайская конференция по инновациям в области автомобильной электроники и выставка приложений автомобильных полупроводниковых технологий AEIF 2026. На этом отраслевом празднике, собравшим мировую элиту автомобильной электроники, компания BYD Semiconductor отличилась своей передовой технологией: микросхемы BMS AFE автомобильного класса BF8915A-1/BF8915B-1 одним махом завоевали награду «Золотой чип для автомобильной электроники 2026 года — награда за выдающийся...
В связи с постоянным ростом требований к эффективности энергосистемы и плотности мощности в таких приложениях, как новые источники энергии, источники питания для быстрой зарядки, источники питания серверов, фотоэлектрические инверторы и приводы промышленных двигателей, силовые устройства из карбида кремния (SiC) становятся в центре внимания отрасли из-за их превосходных свойств материала. Недавно компания Longten Semiconductor официально выпустила пять новых SiC MOSFET на 650 В с номинальным...
Введение продукта Характеристика продукта Основная технология ◆Преимущества чипа: Оснащен IGBT GEN.7 с микроканавкой 7-го поколения. ◆ Расширение возможностей настройки: поддержка индивидуальных требований клиентов для нескольких диапазонов мощности. ◆ Бережливое производство: системы MES и ERP обеспечивают возможность отслеживания производственной информации в модуле. Область применения Система хранения энергии Фотоэлектрический инвертор Другие трехуровневые...
Компания STMicroelectronics выпустила два высоковольтных преобразователя VIPerGaN мощностью 100 Вт, которые расширяют широкозонную энергосберегающую технологию для бытовой техники, автоматизации зданий и дома, интеллектуального освещения, а также потребительских товаров, таких как телевизоры и зарядные устройства. Двумя недавно выпущенными преобразователями мощности являются VIPerGaN100W с предельным током утечки 3,5 А и VIPerGaN100WB с током 4,2 А. Последний кратковременно выдерживает пиковую...
Рекомендация Maplesemi по новому продукту: серия SiC MOSFET 750 В
Недавно компания Maplesemi Semiconductor выпустила серию SiC MOSFET-транзисторов с напряжением 750 В. Благодаря инновационной конструкции устройства компания достигла технологического прорыва в области выключения при нулевом напряжении, эффективно решая проблему, связанную с зависимостью традиционных SiC MOSFET от выключения отрицательного напряжения, и предоставляя более простое и надежное решение для энергосистем с высокой плотностью мощности. Основные особенности продукта — Запас...
NCE – NSIC SiC IPM: на основе карбида кремния, открывая новое будущее модернизации электропитания
В таких сценариях применения, как преобразование частоты новой энергии, промышленное управление, хранение фотоэлектрической энергии, преобразование частоты небольших бытовых приборов и сервопривод, повышение энергоэффективности, миниатюризация и высокая надежность стали важнейшими потребностями отрасли. Поскольку глобальная стратегия углеродной нейтральности продолжает развиваться, страны ужесточают стандарты энергоэффективности для электрооборудования. Требования конечных потребителей к...
Первый высоковольтный МОП-транзистор Longten Semiconductor на базе новой платформы G3 Super Junction 650V -LSD65R150G3 - официально выпущен на рынок. Это устройство использует полностью изолированный корпус TO-220F, отличающийся более низким сопротивлением в открытом состоянии, превосходным зарядом затвора и более высокой скоростью переключения, обеспечивая новое поколение основных решений по питанию для таких приложений, как источники питания светодиодов, высокоэффективные адаптеры, мощные...
Недавно компания Longten выпустила мощный полевой МОП-транзистор с N-канальным суперпереходом на 600 В, 80 А, 37 мОм. Опираясь на двойную поддержку передовой технологии суперперехода и инновационного процесса расширения платины, продукт, обладающий такими основными преимуществами, как сверхнизкие потери, превосходные характеристики корпусного диода, высокая надежность промышленного уровня и высокая адаптивность к сценам, представляет собой совершенно новое модернизированное решение для мощных и...
Медленная зарядка, беспокойство по поводу запаса хода аккумулятора, перегрев автомобиля во время зарядки и риски для безопасности при работе с высоким напряжением... Эти давние проблемы, которые беспокоили владельцев электромобилей, теперь решены с помощью комплексных решений! Поскольку высоковольтная платформа 1000 В становится основной тенденцией в индустрии электромобилей, технология Mwahua Flash Charging 2.0 вывела эффективность зарядки на новый уровень. Выдерживаемое напряжение, потери и...
Эволюция чипов Интернета вещей за 20 лет застряла на решающем этапе Стандарты изменились, поэтому чипы нужно переписывать заново. В ходе этой трансформации GSMA выпустила спецификацию SGP.32 для сценариев Интернета вещей в 2023 году. По сравнению со спецификацией SGP.02, ранее разработанной для потребительских устройств, наиболее значительным изменением в SGP.32 является то, что она устраняет необходимость ручного взаимодействия на месте. Устройства могут выполнять обновление конфигурации и...
Определение ST для микроконтроллеров общего назначения (MCU) не включает микроконтроллеры безопасности и микроконтроллеры автомобильного класса. Источник: Omdia, «Ежегодный инструмент оценки конкурентной среды на рынке полупроводников за 2001–2025 гг.», март 2026 г. Приведенные выше результаты не означают одобрения STMicroelectronics. Любое использование этих результатов третьей стороной осуществляется на их собственный риск. Доля рынка рассчитывается на основе выручки (в долларах...
![[Выпуск нового продукта] CRMICRO выпускает высокопроизводительные продукты SGT MOS пятого поколения для обеспечения эффективной и надежной работы BMS](http://bsg-i.nbxc.com/company/7b/174bcf1258e51cac557d545a4e85d7.jpg?x-oss-process=image/resize,w_500/format,jpg)
1. Знакомство с продуктом CRSZ014N08N5Z, представленный PIBG, является последним достижением технологической платформы SGT пятого поколения компании. Его комплексная производительность была значительно улучшена. По сравнению с продуктом предыдущего поколения в CRSZ014N08N5Z были достигнуты значительные улучшения в таких ключевых индикаторах, как SOA и UIS, и он может обеспечить более безопасное и надежное решение для приложений BMS.2. Превосходство продукта 2.1. Значительное улучшение...
Выпущено последнее издание «Технического отчета Sanken» (том 57)!
«Технический отчет SANKEI» представляет собой сборник технических документов, в которых представлены новейшие технологии и продукты, разработанные группой SANKEI для создания энергосберегающего общества. Вышел последний номер (том 57) за ноябрь 2025 года. На этот раз мы познакомим всех с состоянием разработки микросхемы преобразователя переменного/постоянного тока «серии STR5A300». · Краткое содержание · Серия STR5A300 — это силовые ИС, предназначенные для неизолированных источников питания. Он...
Компания ST Microelectronics объявила, что поставки микроконтроллеров общего назначения STM32, производимых в Китае, уже начались. Первая партия полупроводниковых пластин ST Microelectronics STM32, производство которых было заключено по контракту с компанией Huahong Hongli, была успешно отправлена отечественным потребителям. Эта веха знаменует собой значительный прогресс в глобальной стратегии цепочки поставок ST Microelectronics. Компания планирует наладить локальное массовое производство...
I. Знакомство с продуктом Продукт QCS7209BF, выпущенный PIBG, достиг международных передовых характеристик и прошел сертификацию надежности AEC-Q100 (уровень 2). QCS7209BF отправляет ультразвуковые сигналы через преобразователь драйвера, усиливает и преобразует полученные эхо-сигналы и выполняет оптимизационную обработку, такую как управление усилением по времени (TGC), генерация порога (TG), регулировка порога (TA), усиление сигнала (SE) и обнаружение эха (RWD) через блок обработки сигналов,...
Компания NXP Semiconductors объявила о выпуске своей первой серийной серии трансиверов 10BASE-T1S PMD, включая TJA1410 для автомобильных приложений и TJF1410 для систем промышленного управления и автоматизации зданий. Эти два устройства представляют собой значительную эволюцию технологии Ethernet, позволяя OEM-производителям расширить покрытие Ethernet до границ сети и заложить унифицированную и масштабируемую сетевую основу для ускорения перехода к программно-определяемым архитектурам. Они...
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.