Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LNA20N50W

Количество минимального заказа:1

Атрибуты продукта
Упаковка и доставка
Other information

Атрибуты продукта

Модель: LNA20N50W

Тип поставки: Оригинальный производитель, ODM, Агентство, Розничный продавец, Другие

Справочные материалы: Фото, техническая спецификация

VDSS: 500V

ID: 22A

RDS(on),max: 0.29Ω

Ciss: 2915pF

Device Package: TO-3P

Operating Temperature: -55 to +150°C

Упаковка и доставка



Высокое напряжение n-канальное мощное моносим



Power Semiconductor Device

Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LNA20N50W

Описание

В этом силовом MOSFET используется передовая планарная технология изготовления VDMOS, обеспечивая низкую настойчивость, повышенную эффективность переключения и высокую прочность на лавину.

Функции

◆ Ultra-Low-устойчивость (RDS (ON))

◆ Низкий заряд затвора (тип. Q G = 58 NC)

◆ Протестировано 100% UIS

◆ Rohs Completiant

Приложения

◆ Коррекция коэффициента мощности

◆ Высокоэффективные расходные материалы режима коммутатора (SMP)

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	500	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	22 14	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	88	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	1201	mJ
Power Dissipation ( TC = 25°C )	PD	321	W
Operating junction and storage temperature range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	22	A
Diode pulse current	IS,pulse	88	A