Выпуск нового продукта: Longten Semiconductor выпустила серию SiC MOSFET на 650 В, корпус TO-252 обеспечивает эффективную миниатюризацию.

Рыночная значимость

Эта серия новинок отличается более высокой напряженностью поля критического пробоя, большей шириной запрещенной зоны и более высокой теплопроводностью. Эти выдающиеся характеристики позволяют им демонстрировать более стабильное сопротивление в открытом состоянии и меньшие потери переключения при высоких температурах, что обеспечивает значительные преимущества в применении. Серия SiC MOSFET TO-252 с напряжением 650 В, представленная на этот раз компанией Longten Semiconductor, обогащает ассортимент экономичных SiC-устройств, доступных для приложений средней и малой мощности. Клиенты могут добиться повышения производительности без изменения существующей конструкции контактной площадки печатной платы TO-252, что помогает сократить цикл разработки и снизить затраты на систему.

Выпуск этого нового продукта знаменует собой постоянное углубление технологического развития компании Longteng Semiconductor в области полупроводниковых приборов третьего поколения. В будущем Longten Semiconductor продолжит способствовать развитию сериализации и платформеризации продуктов SiC MOSFET, помогая отечественным силовым полупроводникам повысить свою конкурентоспособность на мировом рынке высокопроизводительных источников питания.