4 июня 2026 года компания Mitsubishi Electric Corporation объявила, что с конца июня того же года она начнет поставлять образцы двух новых чипов SiC MOSFET 5-го поколения без покрытия. Этот чип подходит для моторных инверторов и eAxles¹ (электрических ведущих мостов) в электромобилях (EV), гибридных электромобилях (PHEV) и других электрифицированных транспортных средствах (XEV). Чип SiC MOSFET 5-го поколения использует уникальную структуру траншейного затвора Mitsubishi Electric ², обеспечивая лучший в отрасли уровень ³ низкого сопротивления в открытом состоянии ⁴, что примерно на 25% меньше, чем у существующих продуктов ⁵.
Этот чип будет представлен на выставке PCIM Expo & Conference 2026, проходящей в Нюрнберге, Германия (9-11 июня 2026 г.), а также на сопутствующих выставках в Японии, Китае и других местах.
Чип SiC MOSFET 5-го поколения от Mitsubishi Electric поможет повысить производительность инвертора xEV и eAxles1, а также добиться миниатюризации продукта, тем самым увеличивая запас хода xEV и повышая эффективность работы. Кроме того, уникальная технология производственного процесса Mitsubishi Electric позволяет эффективно подавлять снижение производительности микросхем в процессе длительной эксплуатации.
Особенности продукта
Совершенно новая структура траншейного затвора снижает сопротивление SiC MOSFET в открытом состоянии, эффективно увеличивая дальность действия xEV и эксплуатационную эффективность.
- Уникальная структура плоских контактов источника (FSC) компании Mitsubishi Electric, новая структура желобчатой сетки и традиционная технология наклонной ионной имплантации позволили увеличить плотность ячеек, одновременно способствуя прохождению тока, тем самым достигая лучшего в отрасли уровня низкого сопротивления открытого состояния.
- Его сопротивление в открытом состоянии примерно на 25% ниже, чем у существующих SiC MOSFET-транзисторов Mitsubishi Electric с траншейным затвором, что помогает повысить производительность инвертора xEV и добиться его миниатюризации, тем самым увеличивая дальность действия xEV и повышая его эффективность работы.
Совершенно новая технология производства SiC MOSFET с рифленым затвором обеспечивает производительность xEV в течение длительного времени.
- Уникальная технология производственного процесса Mitsubishi Electric позволяет подавить снижение производительности, вызванное обратным восстановлением корпусных диодов, тем самым помогая стабилизировать качество устройства.
- Совершенно новый SiC MOSFET с траншейным затвором может подавлять потери мощности и колебания сопротивления в открытом состоянии, возникающие в процессе переключения. Это связано с запатентованной технологией Mitsubishi Electric, накопленной за более чем 20 лет исследований, разработок и производства планарных затворов/траншейных затворов 8SiC MOSFET и SiC SBD9, включая уникальное управление процессом SiC и уникальные методы изготовления оксидной пленки затвора.
- Стабильное качество устройства будет способствовать долговечности инвертора xEV и eAxles1, тем самым обеспечивая долгосрочную работу xEV.
Фон
С тех пор как компания Mitsubishi Electric в 2010 году выпустила силовые полупроводниковые модули SiC, которые значительно снижают потери мощности, эти продукты широко используются в инверторных системах кондиционеров, промышленном оборудовании и железнодорожном транспорте, способствуя снижению энергопотребления в бытовой технике, промышленном оборудовании и железнодорожном транспорте.
В будущем Mitsubishi Electric планирует расширить поставки высококачественных чипов SiC MOSFET с низкими потерями для xEV и других энергосберегающих силовых электронных устройств для поддержки перехода к «зеленой» технологии.
