Jinlan Power Semiconductor выпускает три трехуровневых модуля накопления энергии мощностью 215 кВт серии LE3

2026,06,01

С развитием новых фотоэлектрических энергетических технологий интеллектуальные решения на 1500 В получили широкое распространение на наземных электростанциях по всему миру, а также в некоторых крупномасштабных распределенных системах на крышах. Благодаря использованию более высокого напряжения, большей выходной мощности и улучшенного соотношения мощности к мощности это решение значительно снижает общие затраты. Три модуля накопления энергии LE3 мощностью 215 кВт от Jinlan Power Semiconductor, отличающиеся эффективным рассеиванием тепла, технологией самоконтроля и гибкими возможностями конфигурации, направлены на решение проблем отрасли в приложениях с напряжением 1500 В и устанавливают новый стандарт для технологических инноваций в этом секторе.

Модуль INPC 600 А, 1100 В на базе корпуса LE3

Введение продукта

Компания Jinlan Power Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. выпустила три модуля накопления энергии INPC серии LE3 мощностью 215 кВт, которые отвечают различным требованиям по эффективности и стоимости. Их можно гибко выбирать в зависимости от реальных потребностей клиентов. Благодаря технологической автономии, модульному дизайну и гибкому обслуживанию они оптимизируются слой за слоем от микросхем до систем, обеспечивая тройную ценность «высокой эффективности, надежности и гибкости» для новой области энергетики.

Модель: JL3I600V110SE3E7SS может достигать мощности более 280 кВт в экстремальных условиях в сочетании с Si3N4 AMB.

Модуль 215 кВт – трехфазный КПД

Максимальная температура перехода чипа модуля 215 кВт

Характеристика продукта

Отличные динамические и статические параметры, низкое падение напряжения, низкие динамические потери, подходят для высокочастотных и мощных приложений.
IGBT с напряжением BV 1100 В, с учетом потерь мощности и напряжения на стороне клиента.
Благодаря полному набору проверок надежности на уровне чипа и корпуса.
Коробление готового модуля контролируется в пределах 0,3 мм, а эффект покрытия превосходной теплопроводящей пастой базовой поверхности еще более выдающийся.
Выбор подложек ZTA/AMB обеспечивает превосходное рассеивание тепла и повышенную надежность.
Открытая модульная модель в сочетании с моделированием условий эксплуатации заказчика.

Основная технология

◆Преимущества чипа: Оснащен IGBT GEN.7 с микроканавкой 7-го поколения.

◆ Расширение возможностей настройки: поддержка индивидуальных требований клиентов для нескольких диапазонов мощности.

◆ Бережливое производство: системы MES и ERP обеспечивают возможность отслеживания производственной информации в модуле.

Область применения

Система хранения энергии
Фотоэлектрический инвертор
Другие трехуровневые приложения

Свяжитесь с нами

Автор:

Mr. qinweidz

Электронная почта:

carolyne@gisiancorp.com

Phone/WhatsApp:

13728165816