[Выпуск нового продукта] CRMICRO выпускает высокопроизводительные продукты SGT MOS пятого поколения для обеспечения эффективной и надежной работы BMS

2026,04,02

С постоянным улучшением требований к характеристикам аккумуляторов для новых энергетических транспортных средств и систем хранения энергии аккумуляторные системы развиваются в сторону более высоких напряжений, большей емкости и более высокой плотности энергии. Это требует, чтобы основной компонент — система управления батареями (BMS) — обладал более высокой точностью, более сильными возможностями мониторинга и более высоким уровнем безопасности, чтобы последовательно соответствовать строгим требованиям рынка к запасу хода, сроку службы и безопасности. По прогнозам соответствующих учреждений, ожидается, что к 2027 году объем мирового рынка BMS превысит 100 миллиардов юаней, что станет ключевым направлением роста в трансформации энергетики. Ориентируясь на этот быстрорастущий сегмент рынка, бизнес-группа Power Integration Business Group (PIBG) компании China Resources Microelectronics выпустила SGT MOSFET пятого поколения - CRSZ014N08N5Z, принеся прорыв в технологиях и опыте производства продукции на мировой рынок BMS.

△ Форма упаковки продукта: TOLL

1. Знакомство с продуктом

CRSZ014N08N5Z, представленный PIBG, является последним достижением технологической платформы SGT пятого поколения компании. Его комплексная производительность была значительно улучшена. По сравнению с продуктом предыдущего поколения в CRSZ014N08N5Z были достигнуты значительные улучшения в таких ключевых индикаторах, как SOA и UIS, и он может обеспечить более безопасное и надежное решение для приложений BMS.

2. Превосходство продукта

2.1. Значительное улучшение производительности

Сравнение параметров измерения: по сравнению с основными продуктами в отрасли (с максимальным сопротивлением в открытом состоянии около 1,4 мОм) измеренное значение RDS(on) CRSZ014N08N5Z является самым низким. Типичное значение VTH составляет 3,1 В, что не только соответствует требованию низкого RDS(on), когда канал полностью открыт во время установившейся проводимости, но также обеспечивает более быстрый порог выключения во время выключения.

△ Проверка параметров постоянного тока

Характеристики SOA. В сценариях защиты главных цепей и управления питанием BMS характеристики SOA MOSFET являются ключевыми факторами для обеспечения их безопасной и надежной работы. Чтобы соответствовать требованиям безопасной и стабильной работы системы, PIBG на основе технологической платформы SGT 5-го поколения строго определила и оптимизировала SOA-характеристики MOSFET.

Фактические измерения и сравнение формы сигналов показывают, что при тех же условиях Roff, при моделировании возможности медленного отключения BMS, ударная способность CRSZ014N08N5Z по току короткого замыкания значительно улучшилась по сравнению с продуктом предыдущего поколения, что дает BMS заметное преимущество в работе в экстремальных ситуациях.

△ Измеренные характеристики SOA CRSZ014N08N5Z 5-го поколения.

△ Результаты измерений характеристик SOA предыдущего поколения CRSZ014N08N4Z

△ Измеренные характеристики SOA CRSZ014N08N5Z по сравнению с данными CRSZ014N08N4Z предыдущего поколения.

Возможности UIS: фактические данные измерений возможностей UIS для CRSZ014N08N5Z по сравнению с CRSZ014N08N4Z предыдущего поколения следующие:

△ Измеренная форма сигнала пользовательского интерфейса CRSZ014N08N5Z 5-го поколения.

△ Фактическая измеренная форма сигнала пользовательского интерфейса CRSZ014N08N4Z предыдущего поколения.

Основываясь на значительной оптимизации Rsp, PIBG значительно улучшила SOA и UIS SGT MOSFET пятого поколения за счет инновационного дизайна продукта и структурной оптимизации. Это позволяет ему не только обеспечить более высокую надежность в приложениях BMS, но и добиться лучшего контроля затрат, предоставляя клиентам высококонкурентное и экономически эффективное решение.

Испытание на применение: В ходе реальных испытаний платы защиты BMS 120 А 17-элементного тройного литиевого аккумуляторного блока было обнаружено, что продукт способен соответствовать требованиям применения в экстремальных условиях.

2.2. Технические характеристики

Усовершенствованный 12-дюймовый потрясающий низковольтный процесс со сверхмалой шириной линии;
Супер надежность SOA;
Значение Rsp достигло ведущего в отрасли уровня.

3. Применение продукта

Продукт SGT MOS 5-го поколения CRSZ014N08N5Z компании PIBG может широко применяться в различных областях применения BMS, таких как домашние системы хранения и автономные системы хранения, а также аккумуляторные системы для двухколесных и трехколесных транспортных средств и т. д. Он уже достиг массовых поставок нескольким ведущим предприятиям в области BMS.

4. Новый список продуктов

Свяжитесь с нами

Автор:

Mr. qinweidz

Электронная почта:

carolyne@gisiancorp.com

Phone/WhatsApp:

13728165816