Все продукты

650V 120A IGBT Transistor DXG120N65GS

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Single Tube Функции ⚫ 650V 120A, V CE (SAT) (тип.) = 1,8 В ⚫ обеспечивает высокоскоростные возможности переключения ⚫ повышает общую эффективность системы ⚫ Формы волн отключения мягкого тока ⚫ квадратный...

Высокая эффективность 1200V 40A IGBT DXG40S120H Компонент

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Single Tube Функции  1200V, 40A, V CE (SAT) (typ. =) 1.9V@V GE = 15V  Более высокая эффективность системы  Формы волн с отключением мягкого тока  квадратный rbsoa Обзор Эти IGBT обеспечивают...

Высокое напряжение IGBT DXG15S120H 1200V

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Single Tube Функции  1200V15A, V CE (SAT) (тип.) = 1,9 В@15a  SPT ( мягкий удар) Технология  Более низкие потери  Более высокая эффективность системы  Отличная возможность короткого замыкания ...

Высокое напряжение IGBT DXG25N120H 1200V 25A

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Single Tube Функции  1200V, 25A, V CE (SAT) (тип.) = 2,3 В@V GE = 15V  Высокоскоростное переключение  Более высокая эффективность системы  Формы волн с отключением мягкого тока  квадратный rbsoa Общее...

1200V 15A IGBT DXG15N120H для промышленного применения

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Single Tube Функции  1200V/15A Rating : имеет типичное напряжение насыщения (VCE (SAT)) 2,3 В при 15А  Оптимизированная эффективность системы : обеспечивает улучшенную производительность преобразования...

100 Вт MINL Super Energy Storage Foods

Ultimate Portable Energy Solution для путешествий, приключений на открытом воздухе и ежедневного использования Откройте для себя идеальное сочетание мощности и портативности с помощью этого сверхкомпактного блока хранения энергии, предназначенного...

Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LSD65R380GF

650 В n-канальный MOSFET Power MOSFET 11A, 650V, 0,38 Ом - LSD65R380GF Резюме продукта V ds @ t j, max: 700v R DS (ON), макс: 0,38 Ом Я DM: 33а Q G, тип: 21NC Описание Этот мощный MOSFET изготовлен с использованием передовой технологии Super...

1200 В 600A IGBT Power Module LEGM600CU120L7S для UPS

Модуль мощности IGBT 600A 1200 В модуль IGBT для UPS Функции: • v CE = 1200V I C = 600A • Низкий V CE (SAT) • V CESAT с положительным температурным коэффициентом • Максимальная температура соединения 150 ℃ • Пакет типа изоляции Приложения: •...

1500 В n-канальный мощный MOSFET PTF09N150

1500 В n-chhigh планарный mosfet Power MOSFET - 1500V 9A PTF09N150 Общие функции  ROHS COMPARINT  R DS (ON), тип. =2,8ω @ v GS = 10 В.  Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения  Диод быстрого восстановления тела Приложения  Адаптер...

Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LND4N65

Высокое напряжение N-канальное MOSFET LND4N65 Обзор продукта Этот энергетический MOSFET разрабатывается с использованием передовой плоской технологии VDMOS. Расширенное устройство предлагает низкий уровень устойчивости, отличные характеристики...

Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LNB20N60

Высокое напряжение N-канальное MOSFET LNB20N60 Профиль продукта Используя Advanced Planar Architecture VDMOS , этот мощный MOSFET предлагает высокопроизводительное устройство, характеризующееся Ultra-Low RDS (ON), превосходной скоростью переключения...

Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LND12N65

N-канальный MOSFET высокого напряжения 650V 12A Power MOSFET LND12N65 Описание Power MOSFET изготовлен с использованием передовой планарной технологии VDMOS . Полученное устройство имеет низкую сопротивление проводимости, превосходную...

300 В n-канальный мощный MOSFET PTW50N30

300 В n-канальный MOSFET Power Mosfet для UPS - PTW50N30 Общие функции Propryary New Planar Technology Technology  R DS (ON), тип. = 68 МОм@V GS = 10 В.  Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения  Диод тела с быстрыми характеристиками...

Модуль диода быстрого восстановления 1200V JCF200DA12

Diode Module 1200V JCF200IDA12Супер быстрое восстановление диод, 2x200a Функции • Международный стандартный пакет с керамической табличкой DCB • Двойное диодное конструкция • Низкий ток утечки • Низкое падение напряжения вперед • Возможность...

1200V модуль быстрого восстановления JCF200IDK12

Diode Module 1200V JCF200IDK12 Супер быстрое восстановление диод, 2x200a Ключевые функции • Международный стандартный пакет: использует керамическую плиту DCB. • Двойное диодное конструкция • Обеспечивает исключительно низкий ток утечки и низкое...

Qinwei 600V 15A Диоды быстрого восстановления MUR1560FB

Полупроводники дискретные устройства Диод быстрого восстановления - это полупроводниковый диод, специально предназначенный для операций быстрого переключения. Функции * Нижний ток обратной утечки * Низкое энергопотребление, высокая эффективность *...

Высокое напряжение N-канальное MOSFET PTW69N30B

300 В n-канальный MOSFET Power MOSFET для SMPS - PTW69N30B Общие функции  Усовершенствованный планарный процесс  R DS (ON), тип. = 40 МОм@V GS = 10 В  Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения  Структура прочной поли из силиконовых...

PTW90N20 200V N-канальный мощный MOSFET

200 В N-канальный MOSFET Power Mosfet - PTW90N20 (* MOSFET (металлический оксид-полупроводник-транзистор, контролируемый напряжением, является полупроводниковым устройством, контролируемым напряжением и принадлежит к категории электронных...

1200 В n-канальный MOSFET PTF12N120 High Power Transistor

1200 В n-канальный MOSFET Power MOSFET - PTF12N120 Ключевые функции Быстрая возможность переключения Типичный rds (ON) = 1,2 Ом @ VGS = 10V Низкий заряд затвора для уменьшения потерь переключения Диод тела с быстрым восстановлением Типичные...

Высоковольтный n-канальный MOSFET PTF24N90 900V PTF24N90 для надежного использования

900 В n-канальный MOSFET Power MOSFET - PTF24N90 Особенности и преимущества Произведено с помощью передового планарного процесса Типичный rds (on) = 320 МОм @ VGS = 10V Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения Прочная структура затвора...

600 В n-канальный MOSFET PTW26N60

600 В n-канальный MOSFET Power MOSFET -600V 26A PTW26N60 Приложения  Драйвер двигателя BLDC  Электрический сварщик  Высокая эффективность SMP Общие функции  Усовершенствованный планарный процесс  rds (on), тип. = 250 МОм@VGS = 10 В.  Низкий...

500 В n-канальный MOSFET PTW28N50

500 В n-канальный MOSFET Power MOSFET -500V 28A PTW28N50 Общие функции  Изготовлен с использованием передовых планарных технологий  R DS (ON), тип. = 170 МОм@V GS = 10 В  Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения  Структура прочной...

250 В n-канальный MOSFET PTW50N25

N-канальный MOSFET Power MOSFET 250V 50A PTW50N25 Общие функции Propryary New Planar Technology Technology  R DS (ON), тип. = 45 мОм@V GS = 10 В.  Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения  Диод быстрого восстановления тела Приложения...

200 В n-канальный MOSFET SPTF20R10

200 В N-канальный MOSFET Power MOSFET - SPTF20R10 Общие функции  Новая траншевая технология.  R DS (ON), тип. =9,3mω @ v gs = 10 В.  Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения  Диод быстрого восстановления тела Приложения  DC/DC...