*Модуль мощностиIGBT (биполярный транзистор IGBT -затвора)представляет собой интегрированное мощное полупроводниковое устройство, которое объединяет несколько чипов IGBT, свободных диодов и вспомогательных компонентов (например, датчиков температуры, ворот) в единый компактный пакет. Разработанный для высоковольтных (до 6,5 кВ), высокого тока (до тысяч ампер) и высокочастотных операций переключения, он действует как эффективный электронный переключатель для управления большим количеством электроэнергии в промышленных системах.
Свяжитесь