Все продукты

Высокое напряжение 500 В n-канальный MOSFET PTW30N50EL

500 В n-канальный MOSFET Power MOSFET - 500V 30A / PTW30N50EL Общие функции  Усовершенствованный планарный процесс  R DS (ON), тип. = 150 МОм@V GS = 10 В.  Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения  Структура прочной поли из...

600V 15A Trench FS II FAST IGBT NCE15TD60BD

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Single Tube 600V 15A Trench FS II FAST IGBT NCE15TD60BD Общее описание Используя проприетарную архитектуру траншеи NCE и технологию поля второго поколения (FS), Trench FSII IGBT 600V обеспечивает...

NCE30TH60BPN 600V 30A Trench FS II FAST IGBT

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Single Tube Общее описание: Проектированная с технологией архитектуры и второго поколения (FS II II), разработанной с проприетарной областью поля траншеи (FS II II), серия Trench FS II II II-IG...

600V 15A IGBT Single Tube NCE15TD60BF

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Single Tube Общее описание Используя запатентованную архитектуру траншеи и технологию следующего поколения следующего поколения (FS II), Trench FS II II II-IG обеспечивает оптимизированную...

1200V 25A Trench FS II FAST IGBT NCE25TD120BT

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Single Tube 1200V 25A Trench FS II FAST IGBT NCE25TD120BT Общее описание: Используя проприетарную конструкцию траншеи NCE и технологию второго поколения FS (Field Stop), Trench FSII IGBT 1200 В предлагает...

NCE40ER65BP 650V 40A Trench FS III IGBT

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Single Tube Общее описание Используя запатентованную архитектуру траншеи NCE и передовую стоп-технологию NCE и технологию передовой остановки на поле, Trench FS III III обеспечивает лучшую эффективность...

Qinwei High Performance 600V Диод быстрого восстановления MUR3060PT

Полупроводники дискретные устройства 30A 600V Диод быстрого восстановления - MUR3060PT Функции * Нижний ток обратной утечки * Низкое энергопотребление, высокая эффективность * Высокая надежность * Совместимый продукт ROHS Приложения * Поставки...

N-канал 650V 7A Power MOSFET LND7N65D

Полупроводники дискретные устройства 650V 7A N-канальный мощный MOSFET Lnd7n65d Резюме продукта VDSS: 650V ID: 7A RDS (ON), макс: 1,4 Ом QG, тип: 23.5nc Описание Power MOSFET изготовлен с использованием передовой планарной технологии VDMOS ....

Надежный Qinwei 600V 60a диод быстрого восстановления MUR6060PT

Полупроводники дискретные устройства 60a 600 В диод быстрого восстановления Функции * Нижний ток обратной утечки * Низкое энергопотребление, высокая эффективность * Высокая надежность * Совместимый продукт ROHS Приложения * Схема переключения...

100 Вт Super Energy Storage Power

Портативный инвертор с низким энергопотреблением: компактное и эффективное силовое решение для жизни на ходу Портативный инвертор представляет собой передовое, экономное устройство, разработанное для обеспечения постоянной и надежной питания, куда...

Mini Super Energy Super Energy Super Energy

Портативный инвертор с низким энергопотреблением 200 Вт -это компактное и эффективное энергетическое решение, предназначенное для людей, которым нуждается в надежной энергии на ходу. Этот продукт оснащен чистой синусоидальной волной AC 220V с...

Qinwei Fast Recovery Diodes MUR1560BF 600V 15A

Полупроводниковые устройства ( дискретные устройства ) 600 В 15a диод быстрого восстановления- полупроводниковый диод, специально оптимизированный для высокочастотных приложений переключения Функции * Нижний ток обратной утечки* Низкое...

Эффективный Qinwei 600V 10A диод быстрого восстановления MUR1060BF

Полупроводниковые устройства ( дискретные устройства ) 10A 600 В диод быстрого восстановления Функции * Нижний ток обратной утечки* Низкое энергопотребление, высокая эффективность* Ультра-короткое время обратного восстановления * Высокая способность...

Qinwei 600V 8A Диоды быстрого восстановления MUR0860BF

Полупроводниковые устройства ( дискретные устройства ) 600 В 8А диод быстрого восстановления Функции * Нижний ток обратной утечки * Низкое энергопотребление, высокая эффективность * Высокая способность обратного напряжения * Низкий шум переключения...

Qinwei Mur2060C быстрое восстановление диод с 600 В 20А

Полупроводниковые устройства - дискретные устройства 600 В 20А диод быстрого восстановления Функции * Нижний ток обратной утечки * Низкое энергопотребление, высокая эффективность * Ультра-короткое время обратного восстановления * Высокая надежность...

Qinwei 600V 30A MUR3060p Диод быстрого восстановления

Полупроводниковые устройства Супер быстрый диод восстановления Функции * Нижний ток обратной утечки * Низкое энергопотребление, высокая эффективность * Высокая надежность * Совместимый продукт ROHS Приложения * Корректор коэффициента мощности (PFC)...

LEGM400CU120L7S 1200V 400A модуль Power IGBT

Модуль мощности IGBT 400A 1200V IGBT MODULE - LEGM400CU120L7S Функции: • V CE = 1200V I C = 400A • Низкий V CE (SAT) • V CESAT с положительным температурным коэффициентом • Максимальная температура соединения 150 ℃ • Пакет типа изоляции Приложения:...

LEGM200BH120L2H 1200V IGBT Power Module

Модуль IGBT 200A 1200V-LEGM200BH120L2H Функции • V CE = 1200V I C = 200A • Низкий V CE (SAT) • V CESAT с положительным температурным коэффициентом • Максимальная температура соединения 150 ℃ • Пакет типа изоляции Приложения Возобновляемая энергия :...

Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LNA20N50W

Power Semiconductor Device Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LNA20N50W Описание В этом силовом MOSFET используется передовая планарная технология изготовления VDMOS, обеспечивая низкую настойчивость, повышенную эффективность...

Высокая производительность 1200V 40A IGBT Module LEGM40BF120L4HZ

Модуль мощности IGBT Модуль IGBT 40A 1200V - LEGM40BF120L4HZ Приложения: • Инвертор • управление двигателем и приводы • Высокоэффективные промышленные SMP • Проводные источники питания (UPS) Функции: • VCE = 1200V, IC = 40a • Низкий VCE (SAT) •...

DXG20N65FS 650V IGBT ОДИНАЯ ТРУБА для промышленного контроля

650V IGBT Единственная трубка для промышленного контроля Функции  650V 20A, V CE (SAT) (тип.) = 1,70 В@20a  Полевая остановка IGBT Технология.  10 мкс Кратко.  Квадратный RBSOA.  Положительный коэффициент температуры VCE (ON). Преимущества ...

1200V 25A IGBT модули GSK25PJ120E2

1200 В/25А модули IGBT Функции : ⚫ 1200V 25a, vce (sat) = 1,90v@25a ⚫ SPT (мягкий удар через) Технология ⚫ Более низкие потери ⚫ Более высокая эффективность системы ⚫ Отличная возможность короткого замыкания ⚫ квадратный rbsoa Общие приложения :...

DXG30N65HSEK 650V 30A IGBT ЕДИНЦИЯ

650V 30A, до 247 пакет IGBT Single Tube Функции  650V 30A, VCE (SAT) (тип.) =1.7V@30A  Полевая остановка IGBT Технология.  10 мкс Кратко.  Квадратный RBSOA.  Положительный коэффициент температуры VCE (ON). Преимущества  Высокая эффективность...

650V 10A N-канальный Power Transistors LND10N65

650 В, 10а N-канальный мощный мосфет Описание​ А Власть МОСФЕТ является изготовлено с использованием продвинутый планарный Vdmos технология . А полученное устройство имеет низкая проводимость сопротивление , превосходное...