Модуль Power IGBT- это интегрированное полупроводниковое устройство Power, которое объединяет несколько чипов IGBT, свободных диодов и вспомогательных компонентов (например, датчики температуры, драйверы затвора) в единый компактный пакет. Разработанный для высоковольтных (до 6,5 кВ), высокого тока (до тысяч ампер) и высокочастотных операций переключения, он действует как эффективный электронный переключатель для управления большим количеством электроэнергии в промышленных системах.