Все продукты

1500 В n-CH Высокий планарный MOSFET PTH03N150

1500 В n-CH Высокий планарный MOSFET Power Mosfet - PTH03N150 Общие функции  ROHS COMPARINT  R DS (ON), тип. = 5,4 Ом@V GS = 10 В  Низкий заряд затвора минимизирует потери переключения  Диод быстрого восстановления тела Приложения  Адаптер ...

SAM212M10BF1 1200V 10A 3-фазный модуль двигателя модуля

Интеллектуальные модули 1200 В 10А (IPM) IPM -модуль - SAM212M10BF1 Описание SAM212M10BF1 представляет собой 3-фазный бесщеточный двигатель, в котором выходные транзисторы, цепь до привода, диоды начальной загрузки с резисторами, ограничивающими...

600V 20A 3-фазный модуль IPM SIM2-202B

Интеллектуальные модули мощности 600 В 20А (IPM) IPM-модуль- SIM2-202B Описание SIM2-202B-это 3-фазный двигатель с высоким напряжением, в котором транзисторы, схемы до привода и диоды начальной загрузки с резисторами, ограничивающими ток, сильно...

Интеллектуальный модуль мощности SIM6897M 600V для двигательных дисков

Интеллектуальные модули мощности 600 В 10А (IPM) Модуль IPM - SIM6897M Описание SIM6897M-это 3-фазные моторные драйверы высокого напряжения, в которых транзисторы, цепи до привода и цепи начальной загрузки (диоды и резисторы) сильно интегрированы....

3-фазные моторные драйверы высокого напряжения 600 В SCM1272MF

Интеллектуальные модули интеллектуальных модулей 600V 15A (IPM) IPM -модуль - SCM1272MF Описание SCM1272MF представляет собой 3-фазные моторные драйверы высокого напряжения, в которых транзисторы, цепи до привода и методы начальной загрузки (диоды и...

650V 50A 3-фазный двигатель SAM265M50BS3

650V 50A интеллектуальные модули питания (IPM) IPM -модуль - SAM265M50BS3 Описание SAM265M50BS3 представляет собой 3-фазный бесщеточный двигатель, в котором выходные транзисторы, цепь до привода, диоды начальной загрузки с резисторами,...

650V 50A 3-фазные двигательные драйверы SAM265M50AA1

650V 50A интеллектуальные модули питания (IPM) IPM -модуль - SAM265M50AA1 Описание SAM265M50AA1 представляет собой трехфазные бесщеточные драйверы двигателей, в которых выходные транзисторы, цепь до привода , диоды начальной загрузки с резисторами,...

600V 50A интеллектуальный модуль мощности BIPN60050C

Интеллектуальные модули интеллектуальных модулей 600V 50A (IPM) IPM -модуль - BIPN60050CОбщее описание BIPN60050C - это усовершенствованный интеллектуальный модуль мощности (IPM), который был разработан и разработан. Этот продукт оснащен компактным...

Эффективный 600 В 30А IPM BIP60030G-A для домашних приборов

Интеллектуальные модули интеллектуальных модулей 600V 30A (IPM) Модуль IPM- BIP60030G-A Общее описание BIP60030G-A-это усовершенствованный интеллектуальный модуль питания, который вновь разработал и предназначен для обеспечения очень компактной и...

IPM 600V 20A BIPN60020C для преобразователя частоты

Интеллектуальные модули мощности 600 В 20А (IPM) IPM -модуль - BIPN60020C Общее описание BIPN60020C - это усовершенствованный интеллектуальный модуль мощности (IPM), который был разработан и разработан. Этот продукт оснащен компактным размером...

BIPN60015C 600V 15A IPM для управления сервоприводом

Интеллектуальные модули интеллектуальных модулей 600V 15A (IPM) IPM -модуль - BIPN60015C Общее описание BIPN60015C - это усовершенствованный интеллектуальный модуль мощности (IPM), который был разработан и разработан. Этот продукт оснащен компактным...

600 В 20a интеллектуальное модуль мощности BIP60020G-B

Интеллектуальные модули мощности 600 В 20А (IPM) IPM-модуль- BIP60020G-B Общее описание BIP60020G-B-это усовершенствованный интеллектуальный модуль питания, который разработан и разработан, чтобы обеспечить очень компактную и высокую...

Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LSD55R140GF

N-канальный MOSFET 550V 23A Power MOSFET, TO-220F-пакет Профиль продукта Инженерные с технологией Super Junction, инженерные, Power Mosfets Lonfet ™ достигают прорывной производительности. Характеристика ультралова на резистентности обеспечивает...

600V 30A NCE30TD60B IGBT ЕДИНСТВЕННАЯ ТРУБА

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Single Tube Общее описание Используя проприетарную архитектуру траншеи NCE и передовую технологию второго поколения (FS II), Trench FS II II II II II, обеспечивает исключительную производительность и...

Высокое напряжение N-канальное MOSFET LSB65R180GT

N-канальный MOSFET высокого напряжения 650V 20A Power MOSFET - LSB65R180GT Описание Используя передовую технологию супер-соединения, Power Mosfets Lonfet ™ обеспечивает исключительно низкую настойчивость на постоянном состоянии. Этот характерный...

650V 20A IGBT Transistor DXG20N65PS

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Transistors Ключевые спецификации  650V/20A Rating с типичным VCE (SAT) 1,70 В при 20А тока  Использует расширенную техническую технологию.  Поддерживает короткое замыкание. Время 10 микросекунд ...

DXG60N65HSE 650V IGBT Transistors

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Transistors Функции  Оценка на 650 В/60А с типичным падением напряжения в штате 2,3 В при 60А тока нагрузки.  Включает полевой остановки IGBT Design для превосходной производительности.  Предоставляет...

DXG60N65HSEU 650V 60A IGBT ЕДИНДА

Полупроводники дискретные устройства - IGBT Single Tube Функции  650V/60A с типичным напряжением насыщения (VCE (SAT)) 2,3 В при 60А Architecture Architecture IGBT для повышения производительности построена на полевых условиях для повышения...

550V 23A N-канальный мощный мосфет LSB55R140GF

550 В n-канальный MOSFET Power MOSFET LSB55R140GF для промышленного контроля Описание Power Mosfets Lonfet ™ использует передовую технологию супер-соединения для достижения чрезвычайно низкой настойчивости. Этот дизайн оптимизирует их для...