Оставьте нам сообщение
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Введение продукта Компания Jinlan Power Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. выпустила продукт, подходящий для фотоэлектрических инверторов струнного типа мощностью 125 кВт: JL3T400V120SE3G7SS. Он использует пакет Jinlan LE3 (совместим с пакетом Easy 3B). Он уже прошел клиентское тестирование и в настоящее время находится в стадии массовых поставок. Основная технология Отличные динамические и статические параметры, низкое падение напряжения, низкие динамические потери, подходят для высокочастотных и...
Бизнес-группа Power Device (PDBG) компании China Resources Microelectronics добилась еще одного значительного прорыва в сегменте силовых модулей SiC. Модуль главного привода SiC MOS четвертого поколения, независимо разработанный PDBG, был успешно представлен ведущему автопроизводителю и в настоящее время находится в серийном производстве для установки на автомобили. Этот модуль основан на чипе платформы SiC MOS G4 компании PDBG с напряжением 1200 В, оснащен пакетом ValueDual и параллельной...
Быстрое развитие индустрии транспортных средств на новых источниках энергии вызывает высокий спрос на высокопроизводительные, высокоэффективные и высоконадежные решения по управлению питанием. Бизнес-группа Power Device (далее именуемая PDBG), основываясь на своем глубоком техническом опыте в области полупроводников и опираясь на комплексную схему IDM, постоянно фокусируется на высокотехнологичных областях промышленного управления и автомобильной электроники, активно продвигая технологические...
![Потери при переключении снижены более чем на 20% по сравнению с аналогичными продуктами на рынке. * Автомобильный IPM [SAM265M50AS3]](http://bsg-i.nbxc.com/company/3b/3d6c094295733f1c4df944acfded5f.png?x-oss-process=image/resize,w_500/format,png)
Среди двигателей, используемых для привода трехфазных высоковольтных двигателей 【серии SAM2】, 【SAM265M50AS3】 теперь официально запущен в массовое производство. 【Серия SAM2】 имеет интегрированную конструкцию «все в одном», включающую компоненты выходного переключения, предварительные драйверы, самоповышающиеся диоды с токоограничивающими резисторами и термисторы, которые являются всеми необходимыми компонентами, необходимыми для управления приводами трехфазных двигателей. Выпускаемый в настоящее...
Новый продукт Компания Mitsubishi Electric Group объявила 11 сентября 2025 года, что 22 сентября она начнет поставлять новые компактные силовые полупроводниковые модули DIPIPM для бытового и промышленного оборудования (например, кабинетных кондиционеров, систем отопления с тепловым насосом и горячего водоснабжения). Новая серия Compact DIPIPM включает PSS30SF1F6 (номинальный ток 30 А/номинальное напряжение 600 В) и PSS50SF1F6 (номинальный ток 50 А/номинальное напряжение). 600 В)....
Модуль IGBT высокой плотности тока LE2 200 А/650 В
Модуль IGBT высокой плотности тока LE2 200 А/650 В JL3I200V65RE2PN — это трехуровневый инверторный модуль INPC 650 В / 200 А, использующий микросхемы IGBT7 с технологией заделки траншеи, оснащенный термистором (NTC) и дополнительной технологией обжимных штифтов PressFIT. Этот модуль IGBT рекомендуется использовать в фильтрах активной мощности (APF) и других трехуровневых приложениях. APF может широко применяться в распределительных сетях промышленности, предприятий и государственных...
Знакомство с продуктами SOA MOSFET серии HO от NCE
Основные технологические преимущества 1. Сверхсильный ток короткого замыкания в линейной зоне, сравнение измеренных значений мощности короткого замыкания. Испытания на устойчивость к короткому замыканию проводились между репрезентативным продуктом широкой серии SOA HO, NCE09N70A, и более старым продуктом того же уровня мощности от NCE: устойчивость к короткому замыканию в линейном диапазоне увеличилась на 50 %, а способность к короткому замыканию первой категории увеличилась на 50 %. 2....
NCE SJ MOSFET G4.0 800 В и 900 В. Знакомство с продуктом
Сравнение значений множителя Rdson при высокой температуре для продуктов той же спецификации: По сравнению с Gen3, Gen4 снизился на 16%; Продукты Gen4 и International I достигли одного и того же уровня. Сравнение FOM: версия Gen4 на 25% ниже, чем Gen3 и международные продукты I. Модель продукта Особенности продукта ●Высокая плотность тока мощности ●Сверхнизкое сопротивление включения Rsp. ● Высокая надежность ● Улучшение ФОМ ● Температурные характеристики сопротивления проводимости еще лучше....
NSG4427 2A Двухканальный низкочастотный синфазный драйвер затвора
NSG4427 — это низковольтный силовой синфазный драйвер затвора MOSFET и IGBT. Запатентованная технология CMOS, устойчивая к защелкам, обеспечивает высокую надежность. Входной уровень совместим с логическими выходными уровнями CMOS или LSTTL, начиная с 3,3 В. Он имеет широкий диапазон VCC, блокировку при пониженном напряжении с задержкой и каскад буферизации выходного тока. Параллельное соединение двух каналов может улучшить ходовые качества. Особенности продукта: Замена PIN2PIN Infineon IR4427...
NCE RC-IGBT NCE15ER135LP Введение
В этой статье рекомендуется использовать IGBT обратной проводимости производства NCE: NCE15ER135LP. Это упакованное изделие TO-3P с напряжением 1350 В и номинальным током 15 А при температуре 100 ℃. В этом продукте используется технология отсечки полей с микроканавками седьмого поколения. Эта структура может значительно увеличить плотность сотовой структуры устройства. За счет оптимизации конструкции носителя, а также добавления конструкции многоградиентного буферного слоя и технологии...
N30V 1 мОм канальный МОП-транзистор
Технологическая платформа траншейного типа группы исследований и разработок NCE выпустила серию усовершенствованных N-канальных МОП-транзисторов с номинальным напряжением 30 В и сопротивлением 1 мОм. Превосходство продукта Благодаря сверхвысокой плотности ячеек и конструкции с небольшой шириной линии, использованию уникальной технологической платформы траншейного типа NCE в сочетании с оптимизированным процессом упаковки продуктов с большим током, на примере NCE011N30GU, типичное сопротивление...
2153x серия 600 В самоответствующая салон-мост MOSFET/IGBT Driver Чип
Полупроводниковое устройство * N-канальный MOSFET Особенности продукта ● Заменить Infineon IR2153 (1) (S/D), IRS2153 (1) D (S) PBF с PIN2PIN ● VCC и VB Dual Недовольная защита ● Максимальное рабочее напряжение: 600 В ● Защита от мертвой зоны ● КТ, программируемый генератор RT ● Напряжение зажима VCC составляет 15,6 В. ● Возможность движения тока: -Поставляется на рисунок / ток = 1,2a / 1,5a ● SOP8, DIP8 Пакет Dip8 SOP8 Функциональная блочная диаграмма Рекомендованная область приложения...
Trendforce (исследовательская и консалтинговая фирма): в 3 квартале 2024 года выручка Flash NAND увеличилась на 4,8%. Был высокий спрос на SSD на уровне предприятия, но заказы потребителей не восстановились. По Исследовательская фирма TrendForce заявила, что ценовые тенденции NAND Flash в различных областях приложения расходились в третьем квартале этого года. Спрос на SSD на уровне предприятия был сильным, что увеличило цены почти на 15% в годовом исчислении. Хотя цены на SSD на уровне...
19 марта, в Калифорнии, в Соединенных Штатах, полугодил «отчет о перспективе 300-миллиметровых пластин-фабрики до 2027 года (отчет о 300-мм Fab Outlook до 2027 года), заявив, что из-за восстановления рынка памяти и высокого спроса на высокоэффективные вычислительные и автомобильные приложения, глобальные расходы на 300 мм, используемые в течение 20, и в связи с тем, что в течение всего возрастают, и в течение всего выплат, и в течение всего выплат. В связи с тем, что в течение всего выплат....
TrendForce (исследовательская и консалтинговая фирма): к 2025 году спрос на MLCC будет обусловлен инфраструктурой ИИ, а ситуация избыточного приложения будет столкнуться с проблемами. По В результате Федеральная резервная система Соединенных Штатов может значительно сократить количество сокращений процентных ставок в 2025 году, что приведет к постоянной среде высокого уровня, которая впоследствии подаст закупающую способность конечного потребителя и повлияет на доверие предприятий в расширении...
Растущий спрос привел к увеличению цены контракта на комбинации модулей сервера 2Q25 и PC DDR4.
По По оценкам, увеличение будет лучше, чем ожидалось ранее, с квартальным ростом на 18-23% и 13-18% соответственно. Trendforce, исследовательская фирма рынка, заявила, что жизненный цикл поколения DDR4 превысил 10 лет. Спрос постепенно заменяется DDR5. Кроме того, маржа прибыли таких продуктов, как HBM, DDR5 и LPDDR5 (x), значительно выше. Основные поставщики планировали прекратить производство DDR4. Ожидается, что окончательное время отгрузки будет в начале 2026 года. В настоящее время...
Первая в мире система дизайна чипов ИИ была выпущена.
Согласно отчету Science and Technology Daily, первая в мире полностью автоматическая система проектирования для чипов процессора, основанная на технологии искусственного интеллекта, названная «Просвещение», была официально выпущена недавно. Эта система может достичь полного процесса автоматизированного проектирования от аппаратного обеспечения чипов до базового программного обеспечения, что указывает на реализацию дизайна искусственного интеллекта для чипов. Более того, его дизайн достиг уровня...
Trendforce (исследовательская и консалтинговая фирма): обусловленная высоким спросом на ИИ, выручка в 10 лучших компаниях по проектированию IC по всему миру, как ожидается, увеличится на 6% в первом квартале 2025 года. Согласно последнему опросу Trendforce, в первом квартале 2025 года из-за изменений в международной ситуации, подготовка к терминальным электронным продуктам была инициирована ранее, и строительство центров обработки данных ИИ по всему миру привела к более высокому спросу на...
10 апреля 2024 года в Калифорнии, США, Semi заявил в своем выпущенном «Статистике рынка полупроводниковых оборудования (WWSEM)», что в 2023 году мировые продажи оборудования для производства полупроводникового производства немного снизились на 1,3% по сравнению с историческим отчетом в размере 107,6 млрд. США в 2022 году, достигнув 106,3 млрд. Долл. США. Китай остается крупнейшим в мире рынком полупроводникового оборудования. Инвестиции в Китай увеличились на 29% в годовом исчислении в 2023...
Trendforce (исследовательская и консалтинговая фирма): в первом квартале 2025 года объем производства смартфонов достигнет 289 миллионов единиц. Согласно последнему опросу TrendForce, общее глобальное производство смартфонов в первом квартале 2025 года достигло 289 миллионов единиц. Хотя он снизился примерно на 3% по сравнению с тем же периодом в 2024 году, производительность каждого бренда оставалась относительно стабильной. Среди них продажи Китая в первом квартале выиграли от политических...
21 марта 2023 года, в Калифорнии, США, Semi объявил в своем последнем квартале «World Fab Forecast», что ожидает, что в 2023 году в 2023 году снизится расходы на оборудование для оборудования для пластины на 22%, что падает с исторического максимума 98 миллиардов долларов США в 2022 году до 76 миллиардов долларов США. В 2024 году он увеличится на 21% и вернется до 92 миллиарда долларов США. Снижение в 2023 году будет связано с ослабленным спросом и увеличением запасов в потребительских и...
Согласно отчету южнокорейского СМИ, Министерство науки, ИКТ и коммуникаций Южной Кореи (MSIT) объявило, что проведет комплексный брифинг по проекту полупроводника искусственного интеллекта (AI) 11 июня. Этот проект был создан в качестве дополнительного бюджета в мае и направлен на поддержку ранней коммерциализации подразделений по нейронной обработке (NPU) для южнокорейских компаний без вафель. В отчете говорится, что Министерство науки и ИКТ Южной Кореи решило инвестировать 243,4 млрд. Вон...
13 июня 2023 года, в Калифорнии в Соединенных Штатах, Semi подчеркивается в «отчете Outlook на фабрике пластин на 300 мм - до 2026 года», что после снижения в 2023 году глобальные расходы на заводские заводы на 300 -миллиметровом оборудовании на 300 мм начнут восстанавливаться и расти со следующего года. Ожидается, что он достигнет исторического максимума в 119 миллиардов долларов США в 2026 году. Сильный спрос на высокопроизводительные вычисления, автомобильные приложения и увеличение спроса...
1 мая 2024 года, Калифорнийское время в Соединенных Штатах, согласно отчету ежеквартального анализа о кремниевых пластинах, опубликованных группой полу кремния Semi (SMG), в первом квартале 2024 года глобальные поставки силиконовой пластины снизились на 5,4% по сравнению с предыдущим кварталом, достигнув 2834 млн. Квадратных дюймов (MSI), что на 32 -миллионов в течение 32,2 млн. Процедей в год. Ли Чонгвей, председатель полуфинального SMG и вице -президент Global Wafers, заявил: «Непрерывное...
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.