NCE SJ MOSFET G4.0 800 В и 900 В. Знакомство с продуктом

2025,10,24

Суперпереход MOS имеет вертикальную конструкцию. В области дрейфа поочередно располагаются вертикальные области столбцов P-типа и области столбцов N-типа, образуя блок «суперперехода». Благодаря технологии компенсации заряда он преодолевает высоковольтные устройства традиционных силовых полупроводников, ограниченные «кремниевым пределом». Конструкция его сердечника обеспечивает баланс низкого сопротивления включения и высокого напряжения пробоя за счет оптимизации распределения электрического поля. Кроме того, МОП-транзистор с суперпереходом имеет более низкое сопротивление в открытом состоянии и более оптимизированное распределение заряда, поэтому его скорость переключения обычно выше, чем у обычных МОП-транзисторов, что помогает уменьшить потери на переключение в схеме. Благодаря своим превосходным характеристикам при высоком напряжении и коэффициенту энергоэффективности полевой МОП-транзистор с суперпереходом больше подходит для сценариев применения с высоким напряжением и большой мощностью.

NCE Gen.4, основанный на оригинальной технологии MOSFET с суперпереходом, еще больше улучшил свои характеристики за счет технологических обновлений, увеличения структурной плотности устройства, снижения характеристического сопротивления в открытом состоянии; повышение удельной мощности устройства, позволяющее значительно увеличить токовую мощность в том же объеме, а также улучшение таких аспектов, как температурные характеристики сопротивления включения.

Gen.4 Super Junction MOSFET (Super Junction MOSFET IV) недавно выпустил серию продуктов на 800 В и 900 В. Версия на 800 В включает новую серию с диодами быстрого восстановления.

Сравнение значений множителя Rdson при высокой температуре для продуктов той же спецификации: По сравнению с Gen3, Gen4 снизился на 16%; Продукты Gen4 и International I достигли одного и того же уровня.