Все продукты

N-Channel 650V 11A Power MOSFET LSD65R380GT

Описание Lonfet TM Power Mosfet изготовлен с использованием передовой технологии Super Junction . Полученное устройство имеет чрезвычайно низкое сопротивление, что делает его особенно подходящим для применений, которые требуют превосходной плотности...

BIP60015G-A 600V 15A Интеллектуальная модуль мощности

Общее описание BIP60015G-A-это усовершенствованный интеллектуальный модуль питания, который разработан и разработан, чтобы обеспечить очень компактную и высокую производительность в качестве драйверов двигателя переменного тока, в основном...

Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LSD65R180GF

Описание В этом энергетическом MOSFET используется передовая технология супер -соединения в своем строительстве. Инженерное устройство обеспечивает минимальную на резистентность, что делает его идеально подходящим для приложений, требующих...

650V 40A IGBT Transistor DXG40N65HSEK

650V 40A IGBT Single Tube DXG40N65HSEK Функции  650V 40A, V CE (SAT) (тип.) = 1,70 В@40a  Полевая остановка IGBT Технология.  10 мкс Кратко.  Квадратный RBSOA.  Положительный коэффициент температуры VCE (ON). Преимущества  Повышенная...

Высокопроизводительные эпитаксиальные диоды Hur30120 Hur30120 Hur30120

Диоды быстрого восстановления HUR30120 - Мягкое поведение восстановления Высокоэффективное широкое температурное диапазон Ультра быстрого восстановления Эпитаксиальные диоды ФУНКЦИИ * Соответствие международным стандартам упаковки * Планарная...

Эффективный IGBT для применений UPS DXG40N65ASWU

Единственная трубка IGBT (или дискретная IGBT ): один чип IGBT , упакованный в изолированное корпус. 650V/40A IGBT DXG40N65ASWU Функции  650V 40A, VCE (SAT) (тип.) = 2,3 В@40a  Полевая остановка IGBT Технология.  10 мкс Кратко.  Квадратный...

Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LSB65R070GF

Описание Lonfet TM Power Mosfet изготовлен с использованием передовой технологии Super Junction . Полученное устройство имеет чрезвычайно низкое сопротивление, что делает его особенно подходящим для применений, которые требуют превосходной плотности...

Высокая производительность N-Channel 650V 20A Power MOSFET LSD65R180GT

Описание Power MOSFET изготовлен с использованием передовой технологии супер соединения . Полученное устройство имеет чрезвычайно низкое сопротивление, что делает его особенно подходящим для применений, которые требуют превосходной плотности...

450V 220UF Алюминиевые электролитические конденсаторы

Алюминиевые электролитические конденсаторы Является поляризованным электролитическим конденсатором, чей анод (+) состоит из ограбленной алюминиевой фольги с анодированным слоем al₂o₃ в качестве диэлектрика. Катод (-) образуется с помощью проводящего...

150 Вт MINL Super Energy Storage Foods

Портативный инвертор с низким уровнем мощности 150 Вт является компактным и эффективным решением для преобразования постоянного тока в переменный ток, что делает его идеальным для различных потребностей в портативной мощности. Этот портативный...

600 В 30А быстрое восстановление эпитаксиальное диод Hur3060

Диоды быстрого восстановления ФУНКЦИИ * Международный стандартный пакет * Стеклянные пассивированные чипсы * Очень короткое время восстановления * Чрезвычайно низкие потери переключения * Низкие значения IRM * Мягкое поведение восстановления * ROHS...

Диод быстрого восстановления 600V MUR3060PT для ультразвуковых уборщиков

Диоды быстрого восстановления ФУНКЦИИ * Международный стандартный пакет, JEDEC TO-247AD * Стеклянные пассивированные чипсы * Очень короткое время восстановления * Чрезвычайно низкие потери переключения * Низкие значения IRM * Мягкое поведение...

Высокое напряжение n-канальное мощное моноположение LNB20N65

Описание Power MOSFET изготовлен с использованием технологии Advanced Planer VDMOS. Полученное устройство имеет низкую сопротивление проводимости, превосходную производительность переключения и высокую лавину . Функции  Low R DS (ON)  Заряд с...

Высоковольтный n-канальный MOSFET LSB65R041GF

Описание Lonfet TM Power Mosfet изготовлен с использованием передовой технологии Super Junction . Полученное устройство имеет чрезвычайно низкое сопротивление, что делает его особенно подходящим для применений, которые требуют превосходной плотности...